Номер детали производителя : | VS-10ETF10STRRPBF | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | VS-10ETF10STRRPBF(1).pdfVS-10ETF10STRRPBF(2).pdfVS-10ETF10STRRPBF(3).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | VS-10ETF10STRRPBF |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | VS-10ETF10STRRPBF(1).pdfVS-10ETF10STRRPBF(2).pdfVS-10ETF10STRRPBF(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.33 V @ 10 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263AB (D²PAK) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 310 ns |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -40°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 100 µA @ 1000 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 10A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | 10ETF10 |
DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB
DIODE GP 1.2KV 10A TO220ACFP
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB
DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FP
DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC