Номер детали производителя : | VS-4ESH01-M3/86A |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | 14779 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | VS-4ESH01-M3/86A(1).pdfVS-4ESH01-M3/86A(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | VS-4ESH01-M3/86A |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 14779 pcs |
Спецификация | VS-4ESH01-M3/86A(1).pdfVS-4ESH01-M3/86A(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 930 mV @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-277A (SMPC) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | FRED Pt® |
Обратное время восстановления (ТИР) | 20 ns |
Упаковка / | TO-277, 3-PowerDFN |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 2 µA @ 100 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | 4ESH01 |
DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AA
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE STANDARD 200V 2A TO277A
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AA
DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A