Номер детали производителя : | VS-50EPU12LHN3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO247AD |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | VS-50EPU12LHN3(1).pdfVS-50EPU12LHN3(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | VS-50EPU12LHN3 |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO247AD |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | VS-50EPU12LHN3(1).pdfVS-50EPU12LHN3(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 2.55 V @ 50 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-247AD |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
Обратное время восстановления (ТИР) | 262 ns |
Упаковка / | TO-247-2 |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 330 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 50A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | 50EPU12 |
IGBT MODULE 600V 114A 658W MTP
MODULES IGBT - MTP SWITCH
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK
MODULES IGBT - MTP SWITCH
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO247AD
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A DO203AB
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A DO203AB
7.5MM EXTENSION RING
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK