Номер детали производителя : | VS-ETF150Y65U | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | VS-ETF150Y65U(1).pdfVS-ETF150Y65U(2).pdfVS-ETF150Y65U(3).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | VS-ETF150Y65U |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | VS-ETF150Y65U(1).pdfVS-ETF150Y65U(2).pdfVS-ETF150Y65U(3).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 650 V |
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic | 2.06V @ 15V, 100A |
Поставщик Упаковка устройства | EMIPAK-2B |
Серии | - |
Мощность - Макс | 417 W |
Упаковка / | EMIPAK-2B |
Упаковка | Tray |
Рабочая Температура | 175°C (TJ) |
NTC термистора | No |
Тип установки | Chassis Mount |
Входная емкость (Cies) @ Vce | 6.6 nF @ 30 V |
вход | Standard |
Тип IGBT | Trench |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100 µA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 142 A |
конфигурация | Three Level Inverter |
Базовый номер продукта | ETF150 |
DIODE GEN PURP 650V 30A TO247AD
DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
IGBT MOD 650V 201A 600W
DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
DIODE GEN PURP 650V 60A TO247AD
DIODE GEN PURP 600V 15A TO262AA
IGBT MOD 600V 109A EMIPAK-2B
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2