Номер детали производителя : | VS-ETH3006STRRHM3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | VS-ETH3006STRRHM3(1).pdfVS-ETH3006STRRHM3(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | VS-ETH3006STRRHM3 |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | VS-ETH3006STRRHM3(1).pdfVS-ETH3006STRRHM3(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 2.65 V @ 30 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263AB (D²PAK) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
Обратное время восстановления (ТИР) | 26 ns |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 30 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 30A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | ETH3006 |
DIODE GP 600V 30A TO220ACFP
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC
DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
IGBT MOD 1200V 22A 89W EMIPAK-2B
DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC