Номер детали производителя : | VS-ETH3007THN3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | 1212 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | VS-ETH3007THN3(1).pdfVS-ETH3007THN3(2).pdfVS-ETH3007THN3(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | VS-ETH3007THN3 |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 1212 pcs |
Спецификация | VS-ETH3007THN3(1).pdfVS-ETH3007THN3(2).pdfVS-ETH3007THN3(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 2.1 V @ 30 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220AC |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
Обратное время восстановления (ТИР) | 37 ns |
Упаковка / | TO-220-2 |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 30 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 30A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | ETH3007 |
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC
DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC
DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
IGBT MOD 1200V 22A 89W EMIPAK-2B
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
DIODE GP 600V 30A TO220ACFP
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC