Номер детали производителя : | W66BL6NBUAHJ |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Winbond Electronics Corporation |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | W66BL6NBUAHJ(1).pdfW66BL6NBUAHJ(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | W66BL6NBUAHJ |
---|---|
производитель | Winbond Electronics Corporation |
Описание | IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | W66BL6NBUAHJ(1).pdfW66BL6NBUAHJ(2).pdf |
Время цикла записи - слово, страница | 18ns |
Напряжение тока - поставка | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Поставщик Упаковка устройства | 200-WFBGA (10x14.5) |
Серии | - |
Упаковка / | 200-WFBGA |
Упаковка | Tray |
Рабочая Температура | -40°C ~ 105°C (TC) |
Тип установки | Surface Mount |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 2Gbit |
Организация памяти | 128M x 16 |
Интерфейс памяти | LVSTL_11 |
Формат памяти | DRAM |
Тактовая частота | 2.133 GHz |
Базовый номер продукта | W66BL6 |
Время доступа | 3.5 ns |
DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA