2N5457G

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN 2N5457G имеет решающее значение, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов в RX Electronics. 2N5457G от On Semiconductor представляет собой высокопроизводительный JFET (перекрестный транспорт-эффект), предназначенный для широкого спектра аналогового и цифрового приложения. Этот n-канальный транзистор оснащен отличной комбинацией низкого шума и высокой трансдуктивности, что делает его идеальным для аудио-предусилителей, радиочастотных схем и других задач обработки сигналов. С максимальным напряжением дренажного источника (VDS) 150 В и током слива (ID) до 120 мА 2N5457G обеспечивает надежную производительность в различных электронных конструкциях.

Его ключевые характеристики включают в себя напряжение зажигания от -1 В до -4 В, обеспечивая стабильную работу в разных условиях. Устройство демонстрирует очень низкую входную емкость, которая усиливает его частотную характеристику, что позволяет эффективно работать на более высоких частотах. Кроме того, его возможности малого сигнала делают его подходящим для усиления и переключения ролей, где минимальное искажение имеет решающее значение.

Расположенный в компактном пакете TO-92, 2N5457G предлагает легкость интеграции в конструкции с ограниченными пространством при сохранении надежного термического рассеяния. Он широко используется в потребительской электронике, промышленном оборудовании и телекоммуникациях благодаря своей универсальности и надежной производительности. В рамках портфеля полупроводников этот транзистор соответствует строгим стандартам качества, обеспечивая долгосрочную надежность в требовательных средах. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой продаж или отправьте электронное письмо по адресу info@rxelectronics.com, надеюсь, мы сможем сотрудничать в будущем.