Номер детали производителя : | 2SK3666-2-TB-E | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 350 pcs Stock |
Описание : | JFET NCH 30V 200MW 3CP | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 2SK3666-2-TB-E.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 2SK3666-2-TB-E |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | JFET NCH 30V 200MW 3CP |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 350 pcs |
Спецификация | 2SK3666-2-TB-E.pdf |
Напряжение - Граничная (VGS выключен) @ Id | 180mV @ 1µA |
Поставщик Упаковка устройства | 3-CP |
Серии | - |
Сопротивление - RDS (On) | 200 Ohms |
Мощность - Макс | 200mW |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Другие названия | 2SK3666-2-TB-E-ND 2SK3666-2-TB-EOSTR |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 5 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4pF @ 10V |
Тип FET | N-Channel |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30V |
Подробное описание | JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
Ток потребления (Id) - Макс | 10mA |
Ток - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 600µA @ 10V |
Номер базового номера | 2SK3666 |
2SK3654 - Nch Single Power Mosfe
MOSFET N-CH TO92MOD
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
MOSFET N-CH 200V 8A TO252
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
MOSFET N-CH 20V 65A TO220-3
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
MOSFET N-CH TO92MOD
JFET N-CH 30V 0.2W CP