FDG6301N-F085P

Подробности продукции

Как эффективный и опытный дистрибьютор гибридной электроники, наша компания-RX Electronics-предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. приложения. Это устройство имеет ультра-низкую на растяжении (RDS (ON)) 4,5 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность системы. Он работает в широком диапазоне напряжения, с напряжением разбивки дренажного источника (BVDSS) 30 В, что делает его подходящим для различных цепей управления питанием.

Ключевые характеристики включают быстрые скорости переключения, низкий заряд и отличную тепловую стабильность. FDG6301N-F085P расположен в компактном пакете DFN8, который не только экономит пространство для платы, но и увеличивает рассеяние тепла. Его надежный дизайн поддерживает высокие текущие возможности до 79A, что обеспечивает надежную производительность в требовательных средах.

Этот MOSFET находит широкое использование в потребительской электронике, промышленной автоматизации и автомобильных приложениях, таких как управление двигателями, расходные материалы и системы управления батареями. Его превосходные электрические параметры и небольшая площадь делают его идеальным выбором для дизайнеров, стремящихся оптимизировать плотность и эффективность мощности в своих цепях. Цена и время заказа для FDG6301N-F085P В зависимости от необходимого количества, пожалуйста, отправьте свой запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем сотрудничества с вами.