Номер детали производителя : | FDMD8680 |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 25901 pcs Stock |
Описание : | MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | FDMD8680.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | FDMD8680 |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 25901 pcs |
Спецификация | FDMD8680.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Поставщик Упаковка устройства | 8-PQFN (5x6) |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 16A, 10V |
Мощность - Макс | 39W |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | 8-PowerWDFN |
Другие названия | FDMD8680-ND FDMD8680OSTR |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 39 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5330pF @ 40V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 73nC @ 10V |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET Характеристика | Standard |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 80V |
Подробное описание | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 66A (Tc) 39W Surface Mount 8-PQFN (5x6) |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 66A (Tc) |
MOSFET 2N-CH 100V
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
MOSFET 80V 16A POWER 5X6
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET 2N-CH 30V POWER