FGH30N6S2D

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания-RX Electronics-предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. FGH30N6S2D от полупроводника представляет собой высокопроизводительный N-канальный MOSFET, предназначенный для эффективных применений электроэнергии. Это устройство имеет низкое сопротивление в гостях (RDS (ON)) 30 миллиомов при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери мощности и повышенную эффективность системы. Размещаемый в пакете компактного к 252 (DPAK), он поддерживает напряжение источника дренажного источника (VDS) 60 В и непрерывный канатный ток (ID) до 18А, что делает его идеальным для требования задач управления энергетикой.

FGH30N6S2D превосходит в автомобильной, промышленной и потребительской электронике, подходящей для переключателей нагрузки, преобразователей DC-DC и цепей управления двигателем. Его быстрая возможность переключения снижает потери переключения, в то время как термически улучшенный пакет улучшает рассеивание тепла, обеспечивая надежную работу при тяжелых нагрузках.

Благодаря надежным возможностям с коротким замыканием и превосходной лавиной, этот MOSFET предлагает превосходную долговечность. Это также соответствует ROHS, согласуясь с экологическими стандартами. Этот универсальный компонент обеспечивает оптимальный баланс производительности, надежности и экономической эффективности для современных электронных проектов. Проверьте цитату FGH30N6S2D и оставьте свое сообщение по адресу info@rxelectronics.com.