Номер детали производителя : | FQP27P06 |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 19806 pcs Stock |
Описание : | MOSFET P-CH 60V 27A TO-220 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | FQP27P06(1).pdfFQP27P06(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | FQP27P06 |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | MOSFET P-CH 60V 27A TO-220 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 19806 pcs |
Спецификация | FQP27P06(1).pdfFQP27P06(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±25V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220-3 |
Серии | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 13.5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 120W (Tc) |
упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-220-3 |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 13 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Тип FET | P-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60V |
Подробное описание | P-Channel 60V 27A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 27A (Tc) |
MOSFET N-CH 80V 24A TO-220
MOSFET N-CH 80V 24A TO220-3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
MOSFET P-CH 100V 22A TO-220
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO-220
MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220
MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220
MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220
MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220