Номер детали производителя : | MR760RL | Статус RoHS : | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 6000 pcs Stock |
Описание : | DIODE GP 1KV 6A MICRODE BUTTON | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | MR760RL.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MR760RL |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | DIODE GP 1KV 6A MICRODE BUTTON |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
Кол-во в наличии | 6000 pcs |
Спецификация | MR760RL.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 900mV @ 6A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000V |
Поставщик Упаковка устройства | Microde Button |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
упаковка | Cut Tape (CT) |
Упаковка / | Button, Axial |
Другие названия | MR760RLOSCT |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 1000V 6A Through Hole Microde Button |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 25µA @ 1000V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 6A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON
DIODE GP 800V 6A LEADED BUTTON
DIODE GEN PURP 1KV 22A D6
DIODE GEN PURP 1KV 6A
DIODE GP 800V 6A LEADED BUTTON
DIFFUSED JUNCTION SILICON TRANSI
DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON
DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON