MUN2237T1G

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN MUN2237T1G, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. MUN2237T1G от ON Semiconductor-это высокая производительность. MOSFET-режим улучшения поверхности N-канала. Это устройство предназначено для того, чтобы предлагать отличные электрические характеристики, обеспечивая эффективную переключение и минимальные потери мощности. При напряжении источника источника (VDS) 60 В и непрерывным канатным током (ID) до 42A он хорошо подходит для требовательных применений, которые требуют надежной производительности.

Ключевые особенности MUN2237T1G включают низкое сопротивление в штате (RDS (ON)), которое может составлять всего 2,8 мД при VGS = 10 В, что значительно снижает потери проводимости. Его быстрая скорость переключения сводит к минимуму потери переключения, что делает его идеальным для высокочастотных цепей. Устройство также предлагает превосходные тепловые характеристики, повышая надежность в мощных приложениях.

Общие применения для MUN2237T1G включают управление двигателем, расходные материалы, системы управления аккумуляторами и автомобильную электронику. Его пакет компактных до-263 позволяет создавать космические конструкции, сохраняя при этом высокую эффективность и надежность, что делает его предпочтительным выбором для инженеров, ищущих оптимальную производительность в различных промышленных и потребительских электроники. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics. com для дальнейших обсуждений.