Номер детали производителя : | S1JVNJD2873T4G | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 2650 pcs Stock |
Описание : | TRANSISTOR PNP BIPO | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S1JVNJD2873T4G |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | TRANSISTOR PNP BIPO |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 2650 pcs |
Спецификация | |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 1A |
Тип транзистор | NPN |
Поставщик Упаковка устройства | DPAK |
Серии | - |
Мощность - Макс | 1.68W |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Рабочая Температура | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 14 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 65MHz |
Подробное описание | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 65MHz 1.68W Surface Mount DPAK |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 2A |
1A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
1A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC