Номер детали производителя : | S1JM RSG |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Состояние на складе : | 176150 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | S1JM RSG.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S1JM RSG |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 176150 pcs |
Спецификация | S1JM RSG.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1V @ 1A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600V |
Поставщик Упаковка устройства | Micro SMA |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 780ns |
упаковка | Original-Reel® |
Упаковка / | 2-SMD, Flat Lead |
Другие названия | S1JM RSGDKR S1JM RSGDKR-ND S1JMRSGDKR |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 25 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 600V 1A Surface Mount Micro SMA |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 1µA @ 600V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 5pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
1A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
1A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT