Номер детали производителя : | S1JMH |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | 1A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | S1JMH.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S1JMH |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | 1A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | S1JMH.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | Micro SMA |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Обратное время восстановления (ТИР) | 780 ns |
Упаковка / | 2-SMD, Flat Lead |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 5pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
TRANSISTOR PNP BIPO
1A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC