Номер детали производителя : | ALD1108ESCL |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Advanced Linear Devices, Inc. |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | ALD1108ESCL.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | ALD1108ESCL |
---|---|
производитель | Advanced Linear Devices, Inc. |
Описание | MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | ALD1108ESCL.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 1.01V @ 1µA |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 16-SOIC |
Серии | EPAD® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 5V |
Мощность - Макс | 600mW |
Упаковка / | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 25pF @ 5V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | - |
FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 10V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | - |
конфигурация | 4 N-Channel, Matched Pair |
Базовый номер продукта | ALD1108 |
MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC