Номер детали производителя : | ALD114913PAL |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Advanced Linear Devices, Inc. |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | ALD114913PAL.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | ALD114913PAL |
---|---|
производитель | Advanced Linear Devices, Inc. |
Описание | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | ALD114913PAL.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 1.26V @ 1µA |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 8-PDIP |
Серии | EPAD® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 2.7V |
Мощность - Макс | 500mW |
Упаковка / | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | - |
FET Характеристика | Depletion Mode |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 10.6V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12mA, 3mA |
конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
Базовый номер продукта | ALD114913 |
RELAY GEN PURPOSE SPST 3A 18V
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
DC DC CONVERTER 2.5V 35W
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC