Номер детали производителя : | CDBDSC51200-G |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Comchip Technology |
Состояние на складе : | 471 pcs Stock |
Описание : | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 18A DPAK |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | CDBDSC51200-G(1).pdfCDBDSC51200-G(2).pdfCDBDSC51200-G(3).pdfCDBDSC51200-G(4).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | CDBDSC51200-G |
---|---|
производитель | Comchip Technology |
Описание | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 18A DPAK |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 471 pcs |
Спецификация | CDBDSC51200-G(1).pdfCDBDSC51200-G(2).pdfCDBDSC51200-G(3).pdfCDBDSC51200-G(4).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 5 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | DPAK |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 18A |
Емкостной @ В.Р., F | 475pF @ 0V, 1MHz |
Базовый номер продукта | CDBDSC51200 |
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO263
DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263
DIODE SIL CARB 650V 21.5A DPAK
DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 0503
DIODE SIL CARBIDE 650V 11A DPAK
DIODE SIL CARB 650V 25.5A DPAK
DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 0503
DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0503
DIODE SCHOTTKY 80V 6A DPAK