Номер детали производителя : | DMHC3025LSDQ-13 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Diodes Incorporated |
Состояние на складе : | 2437 pcs Stock |
Описание : | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | DMHC3025LSDQ-13(1).pdfDMHC3025LSDQ-13(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | DMHC3025LSDQ-13 |
---|---|
производитель | Diodes Incorporated |
Описание | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 2437 pcs |
Спецификация | DMHC3025LSDQ-13(1).pdfDMHC3025LSDQ-13(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 8-SO |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 5A, 10V |
Мощность - Макс | 1.5W |
Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 590pF @ 15V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 11.7nC @ 10V |
FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6A, 4.2A |
конфигурация | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) |
Базовый номер продукта | DMHC3025 |
MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
CAP 35MF 20% 4.5V SMD
CONN BACKSHELL 9POS 180DEG SHLD
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2
MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2
MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
CAP 140MF 2.25V -40-+85C
MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8