SI3552DV-T1-GE3

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN SI35522DV-T1-GE3, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. SI3552DV-T1-GE3 от Vishay Siliconix является высокопроизводительным, двойным N-каналом Mosfet в Compact-Semornafenced ®. Это устройство предназначено для приложений с ограниченным пространством, требующими эффективного переключения и низкой настойчивости (RDS (ON)). С Ultra-Low RDS (ON) 1,4 МОм (MAX) при VGS = 10 В, он обеспечивает минимальные потери проводимости, что делает его идеальным для систем управления питанием, преобразователей постоянного тока и управления двигателем. SI35522DV-T1-GE3 поддерживает максимальное напряжение дренажного источника (VDS) 30 В и может обрабатывать непрерывные дренажные токи до 74A, обеспечивая надежную производительность в условиях тяжелой нагрузки. Его быстрая возможность переключения снижает потери переключения, повышая общую эффективность системы. Пакет, совместимый с ROHS, предлагает превосходную термическую диссипацию, что обеспечивает надежную работу в требовательных средах. Этот MOSFET широко используется в приложениях для автомобильной, промышленной и потребительской электроники, где надежность и производительность имеют решающее значение. Крайне обращайтесь к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для получения дополнительной информации и деталей. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!