Номер детали производителя : | GA10JT12-247 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | TRANS SJT 1200V 10A TO247AB | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GA10JT12-247(1).pdfGA10JT12-247(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GA10JT12-247 |
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Описание | TRANS SJT 1200V 10A TO247AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | GA10JT12-247(1).pdfGA10JT12-247(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | - |
Vgs (макс.) | - |
Технологии | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-247AB |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 10A |
Рассеиваемая мощность (макс) | 170W (Tc) |
Упаковка / | TO-247-3 |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | 175°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Тип FET | - |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 1200 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10A (Tc) |
SHAFT, 1.0000 DIA. X 18IN LG
SHAFT, 1.0000 DIA. X 36IN LG
SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
SHAFT, 1.0000 DIA. X 24IN LG
SCR 60V 200MA TO18
SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV
TRANS SJT 1200V 25A
CAP 170MF 2.5V -40-+70C
SHAFT, 1.0000 DIA. X 12IN LG
BOARD EVAL DBL PULSE