Номер детали производителя : | GB50SLT12-247 | Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GB50SLT12-247(1).pdfGB50SLT12-247(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GB50SLT12-247 |
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | GB50SLT12-247(1).pdfGB50SLT12-247(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.8 V @ 50 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-247-2 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-247-2 |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 mA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 50A |
Емкостной @ В.Р., F | 2940pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | GB50SLT12 |
DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER
DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220AC
DIODE SIL CARB 1.7KV 216A TO247
DIODE GP 600V 25A TO220FPAC
DIODE GEN PURP 1.6KV 60A TO247AC
CRYSTAL 50.0000MHZ 10PF
DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO214AB
DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AC
DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO214AB
CRYSTAL 50.0000MHZ 16PF