Номер детали производителя : | MSRTA200100(A)D |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | MSRTA200100(A)D.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MSRTA200100(A)D |
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Описание | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | MSRTA200100(A)D.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1V @ 200A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000V |
Поставщик Упаковка устройства | Three Tower |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
упаковка | Bulk |
Упаковка / | Three Tower |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Chassis Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 10 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Диод Конфигурация | 1 Pair Series Connection |
Подробное описание | Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1000V 200A Chassis Mount Three Tower |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10µA @ 1000V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 200A |
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER
DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
1000V 200A THREE TOWER ISO SILIC
1200V 200A THREE TOWER ISO SILIC