Номер детали производителя : | MSRTA200140(A)D |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | MSRTA200140(A)D.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MSRTA200140(A)D |
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Описание | DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | MSRTA200140(A)D.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1V @ 200A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1400V |
Поставщик Упаковка устройства | Three Tower |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
упаковка | Bulk |
Упаковка / | Three Tower |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Chassis Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 10 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Диод Конфигурация | 1 Pair Series Connection |
Подробное описание | Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1400V 200A Chassis Mount Three Tower |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10µA @ 1400V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 200A |
1400V 200A THREE TOWER ISO SILIC
1200V 200A THREE TOWER ISO SILIC
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
1000V 200A THREE TOWER ISO SILIC
DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
1600V 200A THREE TOWER ISO SILIC
DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER