Номер детали производителя : | MURT40060 | Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | MURT40060(1).pdfMURT40060(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MURT40060 |
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Описание | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | MURT40060(1).pdfMURT40060(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 200 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | Three Tower |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 240 ns |
Упаковка / | Three Tower |
Упаковка | Bulk |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Chassis Mount |
Диод Конфигурация | 1 Pair Common Cathode |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 25 µA @ 50 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 200A |
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER
DIODE MODULE 200V 200A 3TOWER
DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER
DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER
DIODE MODULE 200V 200A 3TOWER
DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER