Номер детали производителя : | MURTA500120 |
---|---|
Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | MURTA500120.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MURTA500120 |
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Описание | DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | MURTA500120.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 2.6 V @ 250 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | Three Tower |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Упаковка / | Three Tower |
Упаковка | Bulk |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Chassis Mount |
Диод Конфигурация | 1 Pair Common Cathode |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 25 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 250A |
DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER
DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER
DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER
DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
DIODE MODULE 200V 250A 3TOWER
DIODE MODULE 400V 250A 3TOWER
DIODE MODULE 200V 250A 3TOWER
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
DIODE MODULE 400V 250A 3TOWER