Номер детали производителя : | GC11N65F |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Goford Semiconductor |
Состояние на складе : | 145 pcs Stock |
Описание : | N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GC11N65F.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GC11N65F |
---|---|
производитель | Goford Semiconductor |
Описание | N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 145 pcs |
Спецификация | GC11N65F.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220F |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5.5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 31.3W |
Упаковка / | TO-220-3 Full Pack |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 901 pF @ 50 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A |
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
EVAL DAUGHTERBOARD-GC101
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
IC WIDEBAND CFR PROCESSOR 256BGA
EVAL KIT FOR GC1115