Номер детали производителя : | GT035N10M |
---|---|
Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | Goford Semiconductor |
Состояние на складе : | 739 pcs Stock |
Описание : | N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GT035N10M.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GT035N10M |
---|---|
производитель | Goford Semiconductor |
Описание | N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 739 pcs |
Спецификация | GT035N10M.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263 |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 20A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 277W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 6188 pF @ 50 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 190A (Tc) |
MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<
SHAFT, 0.0312 DIA. X 6IN LG
N40V, 110A,RD<4M@10V,VTH1.0V~2.5
N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V
SHAFT, 0.0312 DIA. X 9IN LG
MOSFET N-CH 100V 190A TO-247
N40V,110A,RD<3.5M@10V,VTH1.0V~2.
SHAFT, 0.0312 DIA. X 5IN LG
SHAFT, 0.0312 DIA. X 4IN LG