IXFH58N20Q

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания-RX Electronics-предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. IXFH58N20Q от IXYS-это высокопроизводительный N-канальный N-канальный MOSFET, предназначенный для требовательных силовых применений. Это устройство оснащено сверхнизким RDS (ON) 5,8 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение эффективности систем преобразования мощности. Его максимальное напряжение источника дренажа (VDS) 200 В делает его подходящим для применения более высокого напряжения при сохранении устойчивости против пиков напряжения.

Одним из ключевых преимуществ IXFH58N20Q является его превосходная тепловая производительность благодаря его расширенной упаковке и тепловой сопротивлении с низким содержанием соединения к делу. Это обеспечивает надежную работу даже в мощных условиях. Кроме того, он имеет быструю скорость переключения, снижая потери переключения и повышая общую эффективность системы.

IXFH58N20Q идеально подходит для широкого спектра применений, включая управление двигателем, промышленные энергоснабжения, системы возобновляемых источников энергии и автомобильную электронику. Его комбинация низких RDS (ON), высокого напряжения и превосходного теплового управления делает его предпочтительным выбором для дизайнеров, ищущих высокоэффективные и надежные решения Power. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.