IXFH60N50P3

Подробности продукции

Как эффективный и опытный гибридный дистрибьютор электроники, наша компания-RX Electronics-предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. IXFH60N50P3 от IXYS-это высокопроизводительный N-канальный N-канальный MOSFET, предназначенный для требовательных силовых применений. Он имеет максимальное напряжение источника дренажного источника (VDS) 500 В, обеспечивающее надежность в среде высокого напряжения. Устройство имеет сопротивление в штате (RDS (ON)) 0,6 Ом при напряжении источника затвора 10 В, что сводит к минимуму потери проводимости и повышает эффективность. Его быстрая возможность переключения снижает потери переключения, что делает его подходящим для высокочастотных операций.

Ключевые преимущества включают превосходные тепловые характеристики, низкую заряду и высокую пропускную способность обработки тока до 60А пульсируют. Этот MOSFET идеально подходит для промышленных применений, таких как управление двигателем, сварочное оборудование и системы возобновляемых источников энергии, такие как солнечные инверторы. Кроме того, он превосходит автомобильную электронику и расходные материалы, где надежность и эффективность имеют первостепенное значение. Надежный дизайн IXFH60N50P3 и превосходные электрические характеристики делают его предпочтительным выбором для инженеров, которые ищут надежные решения управления питанием. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.