Номер детали производителя : | EMG9T2R |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | 17250 pcs Stock |
Описание : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EMG9T2R(1).pdfEMG9T2R(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EMG9T2R |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 17250 pcs |
Спецификация | EMG9T2R(1).pdfEMG9T2R(2).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | EMT5 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 10 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 10 kOhms |
Мощность - Макс | 150mW |
упаковка | Cut Tape (CT) |
Упаковка / | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Другие названия | EMG9T2RCT |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 250MHz |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Номер базового номера | *MG9 |
EDGE MANAGEMENT GATEWAY 4PORT
EDGE MANAGEMENT GATEWAY LTE 8P
GEAR UNIT
GEAR UNIT
GEAR UNIT
GEAR UNIT
GEAR UNIT
EDGE MANAGEMENT GATEWAY LTE 4P
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
EDGE MANAGEMENT GATEWAY LTE 4P