Номер детали производителя : | RS1G120MNTB |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | 400 pcs Stock |
Описание : | MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RS1G120MNTB(1).pdfRS1G120MNTB(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RS1G120MNTB |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 400 pcs |
Спецификация | RS1G120MNTB(1).pdfRS1G120MNTB(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 8-HSOP |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2 mOhm @ 12A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
упаковка | Cut Tape (CT) |
Упаковка / | 8-PowerTDFN |
Другие названия | RS1G120MNTBCT |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 40 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 570pF @ 20V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40V |
Подробное описание | N-Channel 40V 12A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Ta) |
MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP
MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC