Номер детали производителя : | RS1L180GNTB |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RS1L180GNTB |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 8-HSOP |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 18A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 3W (Ta) |
Упаковка / | 8-PowerTDFN |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3230 pF @ 30 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 18A (Ta), 68A (Tc) |
Базовый номер продукта | RS1L |
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123F
DIODE GEN PURP 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 800V 1A SMA
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
DIODE GEN PURP 1A DO214AC
MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA