Номер детали производителя : | RS3L110ATTB1 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | 5429 pcs Stock |
Описание : | PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RS3L110ATTB1 |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 5429 pcs |
Спецификация | |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 8-SOP |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8mOhm @ 11A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 1.4W (Ta) |
Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 6300 pF @ 30 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
Тип FET | P-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Ta) |
Базовый номер продукта | RS3L |
NCH 60V 14A POWER MOSFET: RS3L14
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
MOSFET N-CH 60V 4.5A 8SOP
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 3A DO214AB