Номер детали производителя : | 1N5416US/TR |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 1N5416US/TR(1).pdf1N5416US/TR(2).pdf1N5416US/TR(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 1N5416US/TR |
---|---|
производитель | Micrel / Microchip Technology |
Описание | DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | 1N5416US/TR(1).pdf1N5416US/TR(2).pdf1N5416US/TR(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.5 V @ 9 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | D-5B |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 150 ns |
Упаковка / | SQ-MELF, E |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 100 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Interface
DIODE GEN PURP 200V 3A GPR-4AM
Interface
DIODE GEN PURP 200V 3A B
DIODE GEN PURP REV 200V 3A B
DIODE GEN PURP 100V 3A
DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B
DIODE GEN PURP 100V 3A GPR-4AM
DIODE GEN PURP 200V 3A GPR-4AM
DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL