Тип продуктов:MRFE6VP6300HR5

- Дата: 2023/11/28
- продолжительность: 10 секунды
- Объем видео: 3.96 MB
- Видеоэкрановый скриншот
Номер детали производителя : | MRFE6VP8600HSR6 | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | NXP Semiconductors / Freescale | Состояние на складе : | 4365 pcs Stock |
Описание : | FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | MRFE6VP8600HSR6.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MRFE6VP8600HSR6 |
---|---|
производитель | NXP Semiconductors / Freescale |
Описание | FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 4365 pcs |
Спецификация | MRFE6VP8600HSR6.pdf |
Напряжение - испытания | 50V |
Напряжение - Номинальный | 130V |
Тип транзистор | LDMOS (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | NI-1230S |
Серии | - |
Выходная мощность | 125W |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | NI-1230S |
Коэффициент шума | - |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Усиление | 19.3dB |
частота | 860MHz |
Подробное описание | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 1.4A 860MHz 19.3dB 125W NI-1230S |
Текущий рейтинг | - |
Ток - Тест | 1.4A |
Номер базового номера | MRFE6VP8600 |
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230
MRFE6VS25GN REF BRD 1215MHZ 30W
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FET RF 133V 512MHZ TO-270-2
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H
FET RF 133V 512MHZ NI360L
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA