Номер детали производителя : | MRFG35002N6AT1 | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | NXP Semiconductors / Freescale | Состояние на складе : | 5932 pcs Stock |
Описание : | FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | MRFG35002N6AT1.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MRFG35002N6AT1 |
---|---|
производитель | NXP Semiconductors / Freescale |
Описание | FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 5932 pcs |
Спецификация | MRFG35002N6AT1.pdf |
Напряжение - испытания | 6V |
Напряжение - Номинальный | 8V |
Тип транзистор | pHEMT FET |
Поставщик Упаковка устройства | PLD-1.5 |
Серии | - |
Выходная мощность | 158mW |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | PLD-1.5 |
Коэффициент шума | - |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Усиление | 10dB |
частота | 3.55GHz |
Подробное описание | RF Mosfet pHEMT FET 6V 65mA 3.55GHz 10dB 158mW PLD-1.5 |
Текущий рейтинг | - |
Ток - Тест | 65mA |
Номер базового номера | MRFG35002 |
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
RF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
Wideband RF Power LDMOS Transist
FET RF 8V 3.55GHZ
FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5
TRANS RF N-CH 600W 50V
RF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
FET RF 133V 512MHZ TO270-2