Номер детали производителя : | RM11N800TI |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Rectron USA |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | MOSFET N-CHANNEL 800V 11A TO220F |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RM11N800TI.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RM11N800TI |
---|---|
производитель | Rectron USA |
Описание | MOSFET N-CHANNEL 800V 11A TO220F |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RM11N800TI.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220F |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 5.5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 33.8W (Tc) |
Упаковка / | TO-220-3 Full Pack |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2600 pF @ 50 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 800 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Tj) |
DIODE GEN PURP 600V 1.2A D2
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
1GB CAT6 SURGE MODULE
DIODE GEN PURP 1KV 1.2A D2
CBL 5POS FMALE TO WIRE 10'
1GB CAT6 SURGE MODULE
1GB CAT6 SURGE MODULE
18"WX24"L SELF-SEAL STAYFLAT MAI
DIODE GEN PURP 800V 1.2A D2
PROTOTYPE