Номер детали производителя : | RM4N650TI |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Rectron USA |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220F |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RM4N650TI.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RM4N650TI |
---|---|
производитель | Rectron USA |
Описание | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220F |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RM4N650TI.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220F |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 28.5W (Tc) |
Упаковка / | TO-220-3 Full Pack |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 280 pF @ 50 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4A (Tc) |
RF EMI ABSORB SHEET 8.661X7.283"
MOSFET N-CH 700V 4A SOT223-2
RF EMI ABSORB SHEET 3.543X2.756"
MOSFET P-CH 20V 3A/4.1A SOT23-6
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO252-2
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252-2
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220-3
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23-6