VN5E010MH-E

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN VN5E010MH-E имеет решающее значение, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. VN5E010MH-E от Stmicroelectronics-это высокий уровень N-N-N- МОСФЕТ Улучшения канала кремния (SIC) MOSFET, предназначенный для требовательных применений преобразования энергии. Это устройство оснащено сверхнизким настойчивости (RDS (ON)) 10 МОм при VGS = 18 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и высокую эффективность. VN5E010MH-E работает в пределах широкого диапазона напряжения, поддерживая до 650 В, что делает его идеальным для высоковольтных систем.

Ключевые характеристики включают быстрые скорости переключения, снижение заряда затвора и превосходные тепловые характеристики. Эти атрибуты способствуют более высокой надежности системы и компактной конструкции. Технология SIC обеспечивает превосходную производительность по сравнению с традиционными кремниевыми телами, предлагая повышенную эффективность и долговечность.

Этот MOSFET хорошо подходит для различных применений, таких как солнечные инверторы, зарядные станции электромобилей (EV), моторные приводы и промышленные электроэнергии. Его надежность и эффективность делают его предпочтительным выбором для дизайнеров, стремящихся добиться высокой производительности в электронных системах. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!