Номер детали производителя : | ESH3D R6G | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | ESH3D R6G.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | ESH3D R6G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | ESH3D R6G.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 900 mV @ 3 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 20 ns |
Упаковка / | DO-214AB, SMC |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
Емкостной @ В.Р., F | 45pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB