Номер детали производителя : | HS1JFL |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Состояние на складе : | 2816 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | HS1JFL.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | HS1JFL |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 2816 pcs |
Спецификация | HS1JFL.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | SOD-123F |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 75 ns |
Упаковка / | SOD-123F |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 6pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | HS1J |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD128
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA