Номер детали производителя : | HS1JLW |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | HS1JLW.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | HS1JLW |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | HS1JLW.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | SOD-123W |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 75 ns |
Упаковка / | SOD-123W |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 16pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA