Номер детали производителя : | RS3JB-T |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | 250NS, 3A, 600V, FAST RECOVERY R |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RS3JB-T.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RS3JB-T |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | 250NS, 3A, 600V, FAST RECOVERY R |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RS3JB-T.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.3 V @ 3 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AA (SMB) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 250 ns |
Упаковка / | DO-214AA, SMB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
Емкостной @ В.Р., F | 50pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GP 600V 3A SMB/DO-214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB