Номер детали производителя : | S1FLJ-GS18 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GP 600V 700MA DO219AB |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | S1FLJ-GS18(1).pdfS1FLJ-GS18(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S1FLJ-GS18 |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GP 600V 700MA DO219AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | S1FLJ-GS18(1).pdfS1FLJ-GS18(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-219AB (SMF) |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 1.8 µs |
Упаковка / | DO-219AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 700mA |
Емкостной @ В.Р., F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | S1F |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
DIODE GP 600V 700MA DO219AB
DIODE GP 800V 700MA DO219AB
DIODE GP 600V 700MA DO219AB
DIODE GP 800V 700MA DO219AB
DIODE GP 400V 700MA DO219AB
DIODE GP 400V 700MA DO219AB
DIODE GP 600V 700MA DO219AB
DIODE GP 600V 700MA DO219AB