Номер детали производителя : | SI3586DV-T1-GE3 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Siliconix | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SI3586DV-T1-GE3(1).pdfSI3586DV-T1-GE3(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SI3586DV-T1-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Описание | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | SI3586DV-T1-GE3(1).pdfSI3586DV-T1-GE3(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 6-TSOP |
Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.4A, 4.5V |
Мощность - Макс | 830mW |
Упаковка / | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | - |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
FET Характеристика | Logic Level Gate |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 2.9A, 2.1A |
конфигурация | N and P-Channel |
Базовый номер продукта | SI3586 |
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP