Номер детали производителя : | SI4920DY-T1-GE3 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Siliconix | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SI4920DY-T1-GE3(1).pdfSI4920DY-T1-GE3(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SI4920DY-T1-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Описание | MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | SI4920DY-T1-GE3(1).pdfSI4920DY-T1-GE3(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 8-SOIC |
Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.9A, 10V |
Мощность - Макс | 2W |
Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | - |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 23nC @ 5V |
FET Характеристика | Logic Level Gate |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | - |
конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
Базовый номер продукта | SI4920 |
MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET